Blog

Fèy done CTK PDFN5 MOSFET ak spesifikasyon

Kapasite rezistans vòltaj yon pon redresman depann sou estrikti li yo ak materyèl yo. Estrikti pon plat, akòz konsepsyon kontra enfòmèl ant yo, anjene

Kòm yon eleman endispansab nan sikui elektwonik, estabilite nan pèfòmans pon redresman an afekte dirèkteman operasyon nòmal nan tout kous la. Se poutè

Yon pon redresman tipikman pote yon chaj endiktif ase gwo, kidonk anpeche discontinuity aktyèl la. An jeneral aplikasyon, yon raktor atenuasyon konekt

Depletion-jaden-efè tranzistò (FET) nan vòltaj estanda. Soti nan goch a dwat: Junction FET, Polysilicon Metal-oksid-Semiconductor FET, Dual-Gate Metal

Pou itilize MOSFET yo san danje, konsepsyon sikwi a pa dwe depase limit paramèt tankou dissipation pouvwa, drenaj maksimòm -vòltaj sous, vòltaj maksim

Mezi elektwòd pa metòd rezistans: Baze sou diferans ki genyen nan valè rezistans devan ak ranvèse nan junction PN nan yon jaden junction -efè tranzist

Sous (yo), pòtay (g), ak drenaj (d) yon tranzistò jaden -efè (FET) koresponn ak emèt (e), baz (b), ak pèseptè (c) yon tranzistò, respektivman, epi fon

Tranzistò -efè jaden komen

Klasifikasyon Field-Tranzistò Efè

Karakteristik nan Field-Tranzistò Efè

Sikwi anplifikatè tranzistò