(1) Pou itilize MOSFET yo san danje, konsepsyon sikwi a pa dwe depase limit paramèt tankou dissipation pouvwa, drenaj maksimòm -vòltaj sous, vòltaj maksimòm pòtay-sous, ak aktyèl maksimòm.
(2) Lè w ap itilize MOSFET nan tout kalite, yo dwe entèdi patipri nan kous la dapre polarite ki nesesè yo. Pa egzanp, pòtay-sous-drenaj junction yon jaden junction-efè tranzistò (JFET) se yon junction PN; yon JFET N-chanèl pa ka gen yon patipri pozitif aplike nan pòtay li, ak yon JFET P{-chanèl pa ka gen yon patipri negatif aplike nan pòtay li, elatriye.
(3) Akòz enpedans trè wo antre yo, MOSFET MOS yo dwe gen konduit yo kout -sirkuite pandan transpò ak depo, epi yo dwe pake ak pwoteksyon metal pou anpeche potansyèl ekstèn pwovoke kraze pòtay la. Li enpòtan espesyalman sonje ke MOSFET MOS pa ta dwe mete nan bwat plastik; yo ta dwe depreferans dwe estoke nan bwat metal, epi yo dwe pran prekosyon pou anpeche domaj imidite.
(4) Pou anpeche MOSFET kraze pòtay la, tout enstriman tès yo, workbench, soude irons, ak sikui tèt yo dwe byen chita. Lè soude broch yo, soude sous la an premye. Anvan konekte nan kous la, tout kondwi MOSFET yo ta dwe kout youn ak lòt, epi yo ta dwe retire materyèl la kout sèlman apre yo fin soude. Lè w retire MOSFET la nan etajè eleman an, asire bon baz itilizatè a, tankou lè l sèvi avèk yon bag baz. Natirèlman, si yo ka itilize yon gaz avanse -fè soude chofe, soude MOSFET la pi pratik ak pi an sekirite. Pa janm mete oswa retire MOSFET la nan kous la pandan ke pouvwa a sou. Yo dwe obsève mezi sekirite sa yo lè w ap itilize MOSFET yo.
(5) Lè w ap enstale MOSFET, evite mete yo toupre konpozan k ap pwodui chalè -. Pou anpeche Vibration, li nesesè an sekirite lojman MOSFET la. Lè koube fil yo, pliye omwen 5 mm pi lwen pase dimansyon rasin lan pou anpeche rupture ak flit lè.
(6) Yo dwe itilize yon koule chalè apwopriye lè w ap itilize tranzistò VMOS. Pou egzanp, VNF306 a mande pou yon 140 × 140 × 4 (mm) chalè pou reyalize yon pouvwa maksimòm de 30W.
(7) Lè plizyè tranzistò yo konekte nan paralèl, kapasite entè-elektwòd ak kapasite distribye ogmante kòmsadwa, vin pi mal karakteristik frekans segondè-anplifikatè a epi fasilman lakòz gwo -osilasyon parazit frekans atravè fidbak. Se poutèt sa, kantite paralèl tranzistò konpoze jeneralman pa ta dwe depase kat, epi yo ta dwe konekte yon rezistans osilasyon anti-parazit nan seri sou baz la oswa pòtay chak tranzistò.
(8) Pòtay-sous vòltaj yon jaden junction-efè tranzistò (JFET) pa ka ranvèse epi yo ka estoke nan yon eta sikwi louvri-. Sepandan, pou yon -gate field- izole tranzistò efè (IGFET), akòz rezistans trè wo antre li yo, tout elektwòd yo dwe kout -sikwi lè yo pa itilize yo pou anpeche domaj soti nan jaden elektrik ekstèn.
(9) Pandan soude, kav an fè soude dwe ekipe ak yon fil ekstèn tè pou anpeche domaj nan tranzistò yo akòz fè a soude ke yo te chaje. Pou ti -volim soude, fè soude a ka chofe ak Lè sa a, deploge oswa ekipman pou pouvwa a dekonekte anvan soude. Espesyalman lè soude izole -gate jaden-efè tranzistò (FETs), soude yo ta dwe fè nan lòd sous-drenaj- pòtay la, epi pouvwa a ta dwe fèmen pandan soude.
(10) Lè soude ak yon fè soude 25W, pwosesis la ta dwe rapid. Si w ap itilize yon fè soude 45-75W, yo ta dwe itilize pensèt pou kenbe baz broch yo pou ede dissipation chalè. Ka tranzistò efè -jaden junction (JFETs) dwe tcheke kalitatif lè l sèvi avèk yon miltimèt (tcheke rezistans nan pi devan ak ranvèse nan chak junction PN ak rezistans ki genyen ant drenaj la ak sous). Sepandan, izole-FET pòtay yo pa ka tcheke avèk yon miltimèt; se yon enstriman tès obligatwa, epi sikui kout yo sou chak elektwòd yo ta dwe sèlman retire apre konekte ak enstriman tès la. Lè w retire FET a, li ta dwe kout-sirkwit an premye, ak kle a se pou fè pou evite kite pòtay la k ap flote.
Lè yo itilize nan aplikasyon ki mande gwo enpedans antre, yo dwe pran mezi prèv imidite -pou anpeche rezistans antre FET la diminye akòz efè tanperati. Si w ap itilize yon FET kat-plon, plon substra li a ta dwe mete tè. Seramik -transistè grenn wowoli ki pake yo gen karakteristik foto-sansib epi yo ta dwe itilize lwen limyè.
Pou pouvwa FETs, bon dissipation chalè esansyèl. Paske MOSFET pouvwa yo opere nan kondisyon chaj segondè, yo dwe fèt ase koule chalè pou asire ke tanperati bwat la pa depase valè nominal la, sa ki pèmèt aparèy la opere stab ak fyab sou yon peryòd tan.
Nan ti bout tan, gen anpil bagay yo konsidere ak mezi sekirite divès kalite yo pran pou asire itilizasyon an sekirite nan MOSFET. Teknisyen pwofesyonèl yo, ak espesyalman amater elektwonik, yo ta dwe tout konsidere sikonstans espesifik yo epi adopte metòd pratik pou itilize MOSFET san danje epi efektivman.
